有限掺杂下 t-J 模型的推导
强关联电子
2011-04-13 v1
摘要
将复杂问题映射到更简单的有效模型是理论物理中的关键工具。在强关联费米子系统中，一个重要的例子是将 Hubbard 模型映射到适用于处理掺杂 Mott 绝缘体的 t-J 模型。电荷涨落被消除在电荷能隙之上。迄今为止，t-J 模型的推导仅在半填充或其邻近区域已知。本文提出了处理有限掺杂所需的概念性进展。给出了由此产生的耦合常数的结果。在技术上，扩展的推导依赖于自相似连续幺正变换 (sCUT) 和相对于掺杂参考系综的正规序。t-J 模型推导的适用范围被确定为掺杂 δ 和带宽 W 与相互作用 U 之比的函数。
引用
@article{arxiv.1008.0522,
title = {Derivation of the t-J model for finite doping},
author = {Simone A. Hamerla and Sebastian Duffe and Götz S. Uhrig},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0522},
year = {2011}
}
备注
20 pages, 31 figures