二维 Hubbard 模型中赝能隙行为起始处的载流子数下降
强关联电子
2020-05-01 v1 超导电性
摘要
我们表明，二维 Hubbard 模型中的反铁磁自旋密度波序会导致载流子密度下降，正如近期铜基超导体在高磁场下进入赝能隙区时所观测到的输运结果。自旋密度波的振幅与（一般为非公度的）波矢由动力学平均场理论（DMFT）得到。将有限温度结果外推至零温度，在临界掺杂 以下的宽掺杂范围内给出磁能隙近似线性的掺杂依赖 。磁序导致具有电子与空穴口袋的费米面重构，其中电子口袋仅存在于 以下的受限掺杂范围内。DC 电荷输运性质通过将 DMFT 得到的重整化能带结构与掺杂无关的唯象散射率相结合来计算。在 以下的窄掺杂范围内得到了纵向电导率与霍尔数的显著下降。
引用
@article{arxiv.2002.02786,
title = {Charge carrier drop at the onset of pseudogap behavior in the two-dimensional Hubbard model},
author = {Pietro M. Bonetti and Johannes Mitscherling and Demetrio Vilardi and Walter Metzner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.02786},
year = {2020}
}