半导体纳米线中光学偏振各向异性的全面调控
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1
摘要
在半导体纳米线中展示强光致发光偏振各向异性既具有技术前景，也面临科学挑战。本文通过研究随机取向纳米线集合的光致发光偏振各向异性，在无/有晶体各向异性、小/宽带隙以及III-V/II-VI族化学体系（分别为InP/ZnO纳米线）的材料中，展示了在这两方面的进展。通过共形沉积Ta2O5（InP和ZnO的介电比分别为9.6:4.41和4.0:4.41）实现介电匹配，从而实现了偏振各向异性的全面调控。介电匹配后，InP:Ta2O5和ZnO:Ta2O5纳米线集合的偏振各向异性分别降低了86%和84%。
引用
@article{arxiv.1108.0033,
title = {Comprehensive Control of Optical Polarization Anisotropy in Semiconducting Nanowires},
author = {Lei Fang and Xianwei Zhao and Yi-Hsin Chiu and Dongkyun Ko and Kongara M. Reddy and Nitin P. Padture and Fengyuan Yang and Ezekiel Johnston-Halperin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.0033},
year = {2015}
}