掺铟ZnO纳米线中的弱局域化和电子-电子相互作用
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1 材料科学
摘要
通过激光辅助化学气相沉积方法合成了掺铟的单晶ZnO纳米线。在低温下测量了纳米线在垂直于和平行于线轴方向的磁场中的电导率。我们的数据得到了定量拟合，与准一维金属系统的理论一致，该理论考虑了弱局域化和电子-电子相互作用引起的量子修正。磁导率的各向异性与理论相符。两种量子修正的大小大致相等，各自的温度依赖性分别为T^-1/3和T^-1/2。由于在平行磁场中磁导率没有振荡，排除了准二维表面电导率的替代模型。
引用
@article{arxiv.0907.5282,
title = {Weak localization and electron-electron interactions in Indium-doped ZnO nanowires},
author = {Richard S. Thompson and Dongdong Li and Christopher M. Witte and Jia G. Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.5282},
year = {2015}
}
备注
13 pages, Corrected format