氮掺杂超纳米晶金刚石薄膜中的各向异性弱局域化输运
介观与纳米尺度物理
2010-11-25 v2 材料科学
摘要
基于低温磁阻研究，我们确定了与传播费米面相关的三维各向异性弱局域化（WL）对重氮掺杂超纳米晶金刚石（UNCD）薄膜电导率修正的主导作用。此外，低温电导率可表现为三维弱局域化输运与电子-电子相互作用效应的结合，这与二维弱局域化或强局域化机制下的电导率显著不同。这些系统中电子波函数的相应退相位时间遵循~ T^-p（p < 1）的规律，与通常预期的体脏金属（p ≥ 1）相比，其温度依赖性较弱。霍尔（电子）迁移率的温度依赖性以及增强的电子密度被用于解释异常的磁输运特征，并揭示了这些n型UNCD薄膜中的非局域化电子输运，这些薄膜可被描述为低维超晶格结构。
引用
@article{arxiv.1007.3918,
title = {Anisotropic weakly localized transport in nitrogen-doped ultrananocrystalline diamond films},
author = {Kunjal V Shah and Dmitry Churochkin and Zivayi Chiguvare and Somnath Bhattacharyya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.3918},
year = {2010}
}
备注
27 pages, 6 figures, To be published in Physical Review B