准弹道多模纳米线中的磁导振荡

我们计算了在均匀磁场存在下，电子态被限制在表面电荷层的准一维纳米线的电导。当引线相距较远时，通过隧穿势垒沉积在纳米线上的两个引线之间的两端磁导（MC）由态密度（DOS）奇点主导。当引线间距较小时，还存在由于引线间高阶相干隧穿引起的介观修正。相应的MC结构取决于连接引线的不同通道间电子传播的干涉，在最简单的情况下，对于沿导线轴的磁场，可以粗略地用包围磁通量的路径的相对缠绕数来表征。通常，由于塞曼分裂、磁场与导线轴的失准以及电子分布跨越导线横截面的有限范围，MC振荡是非周期的，并受自旋轨道耦合的影响。量子干涉MC迹线包含有关多通道导线电子结构的丰富信息，这将是对DOS测量的补充。我们提出了一种四端配置来增强高阶隧穿过程的相对贡献，并将我们的结果应用于在表面电荷积累层中携带多个量子通道的实际InAs纳米线。