耦合马约拉纳线阵列中零偏隧穿电导的奇偶规则

具有强 Rashba 耦合且与超导体邻近的半导体纳米线承载马约拉纳边缘模。具有线间耦合的此类纳米线阵列给出了二维拓扑超导体的近似描述，其中根据磁场强度和化学势的不同，可实现具有平庸和不同类型非平庸相的丰富相图。在此，我们从理论上考虑这样一种自旋轨道耦合超导纳米线的二维组合，并计算拓扑 regime 下正常电极与纳米线之间的集体隧穿电导。当组合中纳米线数目为 $N$ 时，由于马约拉纳成键与反成键态的形成方式，我们发现对于偶数 $N$ 会出现关于偏压 $V = 0$ 对称的 $N$ 个电导峰。当 $N$ 为奇数时，还会出现一个零偏电导峰（ZBCP）。这种组合可通过标准纳米加工技术实现，其中可利用机械开关（或局部顶栅）将各纳米线开启（$ON$）或关闭（$OFF$），使 $N$ 为偶数或奇数——从而分别将 ZBCP 关闭或开启。因此，我们的结果可用于以高效、明确且可控的方式实现和探测拓扑超导性。