离子注入 ZnO 纳米线的结构恢复
材料科学
2012-04-30 v1
摘要
离子注入是一种掺杂氧化锌等半导体材料的有趣方法，前提是随后能够去除注入诱导的缺陷。我们在与先前关于块体 ZnO 的研究 [J. Appl. Phys. 109, 023513 (2011)] 相同的条件下，对氧化锌纳米线进行了氮注入 followed by O2 退火处理，从而可以直接比较缺陷恢复机制。我们利用透射电子显微镜和阴极发光技术评估了氮注入及后续退火对 ZnO 纳米线结构和光学性质的影响。研究表明，由于自由表面的邻近效应，纳米线中的缺陷恢复比块体材料更为有效。然而，与未注入的纳米线相比，注入并退火后的纳米线的光学发射性能有所下降，这一现象在未注入但经过退火的纳米线中也被观察到。这暂时归因于纳米线表面吸附 O2 诱导的空间电荷区中激子的解离。
引用
@article{arxiv.1204.6138,
title = {Structural recovery of ion implanted ZnO nanowires},
author = {Guillaume Perillat-Merceroz and Fabrice Donatini and Robin Thierry and Pierre-Henri Jouneau and Pierre Ferret and Guy Feuillet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.6138},
year = {2012}
}
备注
5 pages