热氧化生长Cu2O纳米线中结构缺陷与光学性质的相关性
材料科学
2011-01-31 v2
摘要
通过一种简单的、无催化剂的铜箔基底热氧化方法生长了氧化亚铜（Cu2O）纳米线。通过改变氧分压和加热温度在不同条件下进行纳米线生长，并利用透射电子显微镜表征了所生长纳米线中的结构缺陷，如堆垛层错和孪晶结构。发现约5%的适中氧分压和500°C的相对高温是生长高质量Cu2O纳米线的最佳条件，而降低温度或提高O2分压均会导致更高的平面缺陷密度。为了进一步研究生长纳米线的光学性质，还进行了光致发光测量，并将其与结构表征结果相关联，表明堆垛层错和孪晶等结构缺陷的增加倾向于增强与缺陷相关的宽发射带，并抑制Cu2O带边附近的激子发射。
引用
@article{arxiv.1012.5338,
title = {Correlation between structural defects and optical properties of Cu2O nanowires grown by thermal oxidation},
author = {Qilin Gu and B. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.5338},
year = {2011}
}
备注
12 pages, 4 figures, typos corrected, format changed