化学诱导应变生长氧化钨纳米线
材料科学
2015-07-20 v1
摘要
我们研究了不同 CVD 条件下氧化钨纳米线的形成。我们发现，在 900°C 下将氧化钨薄膜暴露于氢气和甲烷中，会导致形成通常直径为 10 nm 的致密纳米线阵列。结构和化学分析表明，这些线是结晶的 WO3。我们提出了一种化学驱动的晶须生长机制，其中与碳化钨形成相关的界面应变刺激了纳米线的生长。这可能是一个普遍的概念，也适用于其他纳米线系统。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603746,
title = {Tungsten oxide nanowire growth by chemically-induced strain},
author = {Christian Klinke and James B. Hannon and Lynne Gignac and Kathleen Reuter and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603746},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures