铋掺杂氧化锌纳米线中自旋分裂的电学调控
材料科学
2018-01-08 v1
摘要
通过在密度泛函理论框架内进行电子结构计算，研究了施加外电场对铋掺杂氧化锌纳米线最低导带态中掺杂诱导的自旋轨道分裂的影响。结果表明，由于ZnO:Bi纳米线对外加电场的非均匀和各向异性响应，Bi掺杂ZnO纳米线中的自旋分裂可通过控制外加电场的强度和方向进行电学调控和增强。本文报道的结果表明，低浓度Bi掺杂的单个ZnO纳米线可用作自旋电子器件，其操作由施加的横向电场控制。
引用
@article{arxiv.1801.01679,
title = {Electrical tuning of spin splitting in Bi-doped ZnO nanowires},
author = {Mehmet Aras and Çetin Kılıç},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.01679},
year = {2018}
}