用电子显微镜揭示WS2多型的电子性质
材料科学
2020-09-21 v1
摘要
定制层状材料的特定堆叠序列（多型）是识别和设计新颖物理性质的有力策略。虽然基于2H或3R晶相的过渡金属二硫族化物（TMD）纳米结构已被常规研究，但对混合2H/3R多型的了解要有限得多。本文通过先进透射电子显微镜表征了呈现花状构型的混合2H/3R自支撑WS2纳米结构。我们将其丰富的形状-形态组合与相关的局部电子性质（如边缘、表面和体等离激元）关联起来。电子能量损失谱结合机器学习揭示2H/3R多型具有间接带隙，E_BG=1.6^{+0.3}_{-0.2} eV。此外，我们在EEL谱中识别出能量增益峰，其增益-损失比I_G/I_L>1。这一性质可用于开发原子级薄TMD纳米结构及其器件的冷却策略。我们的结果代表了向更好理解基于混合晶相的TMD纳米结构迈出的重要一步。
引用
@article{arxiv.2009.08477,
title = {Illuminating the electronic properties of WS$_2$ polytypism with electron microscopy},
author = {Sabrya E. van Heijst and Masaki Mukai and Eiji Okunishi and Hiroki Hashiguchi and Laurien I. Roest and Louis Maduro and Juan Rojo and Sonia Conesa-Boj},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.08477},
year = {2020}
}
备注
24 pages, 6 figures, and supplementary information