通过脱落-米氏绝缘体的结构过渡实现多晶体异构结构
材料科学
2025-12-03 v1
摘要
过渡金属硫化物 (TMD) 包含多种竞争的结构和电子相，构成构建具有新兴量子属性的多晶体异构结构的理想平台。然而，控制相变以在单个晶体内部形成多样化的异构结构仍具有挑战性。本文通过热力学退火诱导的结构过渡，在掺杂米氏绝缘体中实现了垂直/横向多晶体异构结构。拉曼光谱、原子力显微镜 (AFM) 和扫描金斯特探针力显微镜 (SKPM) 确认了 T-H 多晶体异构结构的共存。原子级扫描隧道显微镜/光谱 (STM/STS) 测量揭示了 1H/1T 垂直异构结构中的透明效应，其中底层 1T 层的电荷密度波 (CDW) 在正偏压下叠加于上层 1H 层上。通过系统比较 1T/1H 和 1T/1T 界面，我们表明金属 1H 层对 1T 层施加库仑屏蔽效应，抑制 CDW 域壁的形成，形成更有序的电子态。这些结果阐明了不同量子多体相之间界面耦合机制，并为构建具有可调电子属性的二维多晶体异构结构奠定了可控路径。
引用
@article{arxiv.2512.02778,
title = {Realization of polytype heterostructures via delicate structural transitions from a doped-Mott insulator},
author = {Yanyan Geng and Manyu Wang and Shumin Meng and Shuo Mi and Chang Li and Huiji Hu and Jianfeng Guo and Rui Xu and Fei Pang and Wei Ji and Weichang Zhou and Zhihai Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.02778},
year = {2025}
}