通过相关透射电子显微镜和拉曼光谱识别双层MoS2的多态性及其位错
材料科学
2025-02-18 v1
摘要
堆积顺序和拓扑缺陷显著影响2D范德华(vdW)材料的物理性质。然而，2D材料的内在特征挑战了单一表征技术在识别堆积序列方面的有效性， necessitating 采用相关方法。以双层MoS2为基准，我们通过透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱对其多态性和特定位错进行区分。TEM中发现了完美位错和部分位错，这些位错与堆积序列紧密相关，从而间接指示了2H和3R多态。3D电子衍射重建和低频拉曼光谱进一步验证了这些多态，因为它们依赖于晶体对称性。令人惊讶的是，我们尽管使用2H Bulk晶体，却分辨出了两种多态性，这指向在机械剥离过程中可能发生相变。该相关TEM-拉曼方法可推广至其他2D材料，为通过堆积和缺陷工程实现性能调控。
引用
@article{arxiv.2502.11977,
title = {Identification of Polytypism and Their Dislocations in Bilayer MoS2 Using Correlative Transmission Electron Microscopy and Raman Spectroscopy},
author = {Xin Zhou and Tobias Dierke and Mingjian Wu and Shengbo You and Klaus Götz and Tobias Unruh and Philipp Pelz and Johannes Will and Janina Maultzsch and Erdmann Spiecker},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.11977},
year = {2025}
}
备注
13 pages, 3 figures