面向 wurtzite LaN 的异构结构工程
材料科学
2025-05-23 v1
摘要
wurtzite LaN (wz-LaN) 是一种半导体氮化物，具有有利的压电和铁电特性，具有电子器件的应用前景。我们采用混合泛函的第一性原理密度泛函理论，探讨了其在异构结构中关键特征。首先，针对生长wz-LaN于基片或设计异构结构的需求，我们表明其可沿[111]轴与多种立方形材料实现晶格匹配。我们还考虑极化 discontinuity以及由于仿射应变产生的压电极化，评估了此类界面处的束缚电荷。其次，我们研究了带隙对准，评估了与锌盆结构、岩盆结构和钙钛矿结构化合物，以及与化学相似的 wurtzite 和岩盆结构氮化物的界面结果。我们的结果为基于wz-LaN的电子器件开发提供了指导。
关键词
引用
@article{arxiv.2412.21105,
title = {Heterostructure Engineering for Wurtzite LaN},
author = {Andrew J. E. Rowberg and Sai Mu and Chris G. Van de Walle},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.21105},
year = {2025}
}
备注
9 pages, 3 figures