hBN-AlN短周期超晶格异质结构的第一性原理研究
材料科学
2019-01-15 v1
摘要
我们报道了基于标准及杂化密度泛函理论的第一性原理方法对hBN-AlN超晶格异质结构（SL）的结构、电子和光学性质的理论研究。我们考虑短周期（ nm）SL，发现其性质强烈依赖于AlN层厚度。当 nm时，AlN稳定为六方相，SL呈现绝缘行为，具有II型界面能带排列，光学带隙小至 eV。对于更厚的AlN层则形成纤锌矿相。在这些情况下，内建电场导致极化补偿电荷的形成，以及沿界面电子传输的二维导电行为。我们还发现了定域在界面处、在可见光范围内具有光学活性的类缺陷态。
引用
@article{arxiv.1812.07188,
title = {First principles study of hBN-AlN short-period superlattice heterostructures},
author = {Catalin D. Spataru and Mary H. Crawford and Andrew A. Allerman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.07188},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 5 figures + Suppl. Mat., to appear in Appl. Phys. Lett