GaN/AlN异质结构中极化诱导界面电荷的第一性原理计算
材料科学
2011-06-14 v2 量子物理
摘要
我们提出了一种新方法，利用经典静电学应用于第一性原理计算得到的实空间能带图，来计算半导体异质结构中极化诱导的界面电荷，并将其应用于具有超薄AlN层（4-6个单层）的GaN/AlN异质结构。我们表明，计算出的电场和界面电荷与所使用的交换关联泛函（局域密度近似和杂化泛函）无关。我们还发现，计算出的界面电荷为(6.8 +/- 0.4) x 10^13 cm^-2，与实验以及根据体极化常数计算出的6.58 x 10^13 cm^-2值非常吻合，验证了即使对于非常薄的薄膜，使用体常数也是有效的。
引用
@article{arxiv.1104.4149,
title = {First principles calculation of polarization induced interfacial charges in GaN/AlN heterostructures},
author = {Rohan Mishra and Oscar D. Restrepo and Siddharth Rajan and Wolfgang Windl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.4149},
year = {2011}
}
备注
3 pages, 2 figures; submitted to Applied Physics Letters