半导体中的金属-绝缘体转变与晶格畸变
超导电性
2010-03-01 v3
摘要
得到了对应于金属-绝缘体转变的基本“绝缘”激发能量与半导体中带隙宽度之间的关系。考虑了原子弛豫对带隙宽度随温度和压力变化的影响。结果表明，半导体中的金属-绝缘体转变在金刚石和闪锌矿结构的情况下会导致微弱的菱方或单斜畸变，而在岩盐结构的情况下会导致微弱的四方或正交畸变。还得到了与半导体中铁电（反铁电）转变相关的带隙变化。
引用
@article{arxiv.1001.3061,
title = {The metal-insulator transition and lattice distortion in semiconductors},
author = {Fedor V. Prigara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.3061},
year = {2010}
}
备注
9 pages, REVTeX, Consideration of the metal-insulator transition in underdoped iron pnictide superconductors added