声子模式导致的赝能隙：从非公度电荷密度波到半导体线
强关联电子
2007-05-23 v2
摘要
我们考虑了电子与无能隙模式相互作用产生的赝能隙效应。我们同时研究了具有声学声子的通用一维半导体和非公度电荷密度波。我们计算了可以通过光电子能谱或隧道能谱观测到的带隙以下吸收。在泛函积分和绝热近似的框架内，这些概率由瞬子类型的非线性构型描述。这两种情况的特性由定态激发态（声学极化子或振幅孤子）的拓扑性质以及无能隙声子的存在决定，无能隙声子将通常的动力学改变为量子耗散机制。在自由粒子边以下，赝能隙以跃迁速率的指数衰减（对于有能隙声子为拉伸指数衰减）开始。在赝能隙深处，跃迁速率由幂律主导，这与有能隙模式的近指数律形成对比。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208121,
title = {Pseudogaps due to sound modes: from incommensurate charge density waves to semiconducting wires},
author = {S. Brazovskii and S. I. Matveenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208121},
year = {2007}
}
备注
3 figures