赝能隙半金属 Be$_5$Pt 的显著低能性质
材料科学
2020-10-27 v2
摘要
我们报道了金属间化合物 BePt 性质的测量与计算。高质量多晶样品在宽温度范围内显示出电阻率近乎恒定的温度依赖关系。另一方面，相对论电子结构计算表明，在态密度中存在一个窄的赝能隙，源于极其接近费米能级的偶然近似 Dirac 锥。费米能级处存在一个约 3 meV 量级的微小真实能隙，然而测量到的电阻率从低温到室温几乎恒定。我们认为这一意外行为可由态密度和由于无序引起的弛豫时间的能量依赖相互抵消来理解，并讨论了一个电子输运模型。施加压力后，电阻率呈现半导体行为，与理论计算一致，即带隙随施加压力增大。我们进一步讨论了样品中 Be 夹杂物的作用。
引用
@article{arxiv.2005.08327,
title = {Remarkable low-energy properties of the pseudogapped semimetal Be$_5$Pt},
author = {L. Fanfarillo and J. J. Hamlin and R. G. Hennig and Ajinkya Hire and P. J. Hirschfeld and Jungsoo Kim and Jinhyuk Lim and Yundi Quan and G. R. Stewart and Stephen R. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.08327},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 14 figures. The revised version contains additional calculation of the bandgap using several exchange-correlation functionals