赝隙系统 (TaSe4)2I 的电子性质
强关联电子
2015-06-25 v2
摘要
准一维电荷密度波系统 (TaSe4)2I 的室温“金属”性质与费米液体或 Luttinger 液体的预期行为显著不同。我们讨论了 (TaSe4)2I 在其导电相中观察到的行为的最简单可能解释的证据——即存在大尺度的准静态结构有序涨落，但这些涨落在电荷密度波转变温度以上保持有限范围。这些涨落在态密度中产生赝隙。我们计算了 (TaSe4)2I 在其导电相中的光学和直流电导率的温度依赖性、其核心空穴谱的性质以及 NMR 弛豫率。基于 Lee、Rice 和 Anderson 模型对这些量做出了预测。该模型代表了赝隙的最简单理论，并且在可以进行比较的情况下与实验取得了令人满意的吻合。相比之下，强关联（Luttinger 液体）模型的预测似乎与数据相矛盾。主要的剩余差异是输运量中出现的能隙小于光电子能谱中观察到的能隙。我们讨论了解决这个问题的几种可能性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9806169,
title = {Electronic properties of the pseudogap system (TaSe4)2I},
author = {Nic Shannon and Robert Joynt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9806169},
year = {2015}
}
备注
41 pages latex, 11 ps figures, uses IOP macros