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TlNi2Se2 的光学性质:赝能隙形成的观测

超导电性 2015-12-29 v2

摘要

准二维镍硫族化合物 TlNi2Se2TlNi_2Se_2 是一种新发现的超导体。我们在不同温度下对 TlNi2Se2TlNi_2Se_2 单晶进行了宽频段的光学光谱研究。整体光学反射谱与其同构体 BaNi2As2BaNi_2As_2 中观察到的相似。R(ω)R(\omega) 的抑制和 σ1(ω)\sigma_1(\omega) 中的峰状特征均表明,随着温度降低,在中红外区域逐渐形成了赝能隙特征,这可能源于电荷密度波不稳定性的动态局域涨落。我们提出,TlNi2Se2TlNi_2Se_2 中的电荷密度波不稳定性由鞍点机制驱动,这是由于存在非常接近费米能量的范霍夫奇点。

关键词

引用

@article{arxiv.1507.01690,
  title  = {Optical properties of TlNi2Se2: Observation of pseudogap formation},
  author = {X. B. Wang and H. P. Wang and Hangdong Wang and Minghu Fang and N. L. Wang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1507.01690},
  year   = {2015}
}

备注

5 pages, 4 figures