石墨上生长的 SnSe2 原子层中赝能隙的观测
超导电性
2020-07-10 v2
摘要
超导性金属硫族化物（MDCs）与铜氧化物等其他层状超导体有若干相似之处。近期实验已证实原子级薄 MDCs 中的超导性，然而对其与其他序相互交织的超导性的研究仍很匮乏。研究 MDCs 原子层中的赝能隙，有助于理解这些真正二维（2D）超导体系的超导机制。本文报道了通过扫描隧道显微镜/谱学（STM/STS）在高度取向热解石墨（HOPG）上外延生长的 SnSe2 薄层隧穿谱中观测到的赝能隙开启现象。在 STS 中观察到费米能级（EF）附近开启显著的 V 形赝能隙；在升高温度时，该能隙逐渐演化为浅凹陷。我们的实验观测为 HOPG 表面电子掺杂 SnSe2 原子层中存在赝能隙态提供了直接证据，这可能激发对 MDCs 中 2D 极限下超导机制的进一步探索。
引用
@article{arxiv.1712.10100,
title = {Observation of pseudogap in SnSe2 atomic layers grown on graphite},
author = {Yahui Mao and Huan Shan and Jinrong Wu and Zejun Li and Changzheng Wu and Xiaofang Zhai and Aidi Zhao and Bing Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.10100},
year = {2020}
}
备注
16 pages, 8 figures, accepted by Frontiers of Physics