氢插层二硒化钛中双能隙超导电性的直接证据

过渡金属二硫族化合物（TMDs）为探索非常规超导电性提供了一个极其丰富的材料平台。其非常规方面包括奇异的耦合机制，如伊辛配对，与其他电子序（如电荷密度波（CDWs））的复杂相互作用，对称性破缺和拓扑效应，以及非平庸的能隙结构，如多能隙和可能的节点相。在TMDs中，二硒化钛（1T-TiSe2）是研究最多、争议最大的案例之一。多年来，已有迹象表明其超导序参量具有反常结构，这可能与其由于存在2×2×2 CDW相而在实空间和倒空间中形成的空间纹理有关，或与压力驱动的多带费米面有关。然而，该材料中超导能隙非平庸结构的直接证据仍然缺乏。在这项工作中，我们通过结合磁输运测量、点接触谱和扫描隧道谱的广泛实验研究，首次为最近发现的H插层TiSe₂超导体（Tc ≃ 3.6 K）中的双能隙结构提供了证据。我们表明，上临界场的温度依赖性（对于B ∥ c）以及点接触谱和隧道谱的形状强烈暗示存在两个不同的超导能隙，并且确实都可以用相同的能隙幅度Δ1 = 0.26 ± 0.12 meV和Δ2 = 0.62 ± 0.18 meV以自洽的方式进行拟合。