节线半金属 NaAlGe 中的赝能隙形成
材料科学
2022-07-04 v2
摘要
NaAlSi 与 NaAlGe 是等结构、等电子的半金属，其拓扑节线靠近费米能级。尽管电子结构几乎相同，NaAlSi 在 Tc = 6.8 K 以下呈现超导性，而 NaAlGe 则没有。我们利用单晶测量了 NaAlGe 的电阻、霍尔效应、磁化率和热容。结果表明，NaAlGe 并非简单半金属，而是具有靠近费米能级约 100 K 的小赝能隙的异常基态。我们认为，NaAlGe 中赝能隙的形成源于出乎意料的费米面不稳定性（如激子不稳定性），而非导致 NaAlSi 超导能隙形成的电声子不稳定性。
引用
@article{arxiv.2206.04226,
title = {Pseudogap Formation in the Nodal-Line Semimetal NaAlGe},
author = {Takahiro Yamada and Daigorou Hirai and Tamio Oguchi and Hisanori Yamane and Zenji Hiroi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.04226},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 5 figures