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任意载流子密度准二维系统中赝能隙形成的持续性

超导电性 2015-06-25 v4

摘要

临界温度以上赝能隙的存在已被广泛用于解释高温超导体正常态的异常行为。在二维情况下,赝能隙相的存在已在简单模型中得以证明。现在可以证明,即使在考虑相干层间隧穿这一更现实的情形下,赝能隙相仍然存在。有效各向异性出奇地大,并且随着载流子密度的增加而增大。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/9708151,
  title  = {Persistence of pseudogap formation in quasi-2D systems with arbitrary carrier density},
  author = {Rachel M. Quick and Sergei G. Sharapov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9708151},
  year   = {2015}
}

备注

17 pages, LaTeX, 1 EMTeX figure; extended version