二氧化硅薄膜的近场光谱学研究
介观与纳米尺度物理
2012-02-23 v1
摘要
我们对在 Si 衬底上的 a-SiO2 薄膜所进行的扫描近场红外光谱测量结果进行了分析。所测得的近场信号呈现出表面声子共振，其强度在 2 至 300 nm 范围内表现出强烈的厚度依赖性。将这些观测结果与计算进行了比较，其中将近场红外光谱仪的针尖建模为点偶极子或拉长椭球体。后一模型考虑了针尖的天线效应，与实验结果吻合得更好。本文还讨论了近场技术在层状纳米结构深度剖析方面的可能应用。
引用
@article{arxiv.1110.4927,
title = {Near-field spectroscopy of silicon dioxide thin films},
author = {Lingfeng M. Zhang and Gregory O. Andreev and Zhe Fei and Alexander S. McLeod and Gerardo Dominguez and Mark Thiemens and Dimitri N. Basov and Antonio H. Castro Neto and Michael M. Fogler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.4927},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 6 figures