富硅氮化硅中直流克尔效应的演示
光学
2021-09-08 v1 应用物理
摘要
我们演示了 PECVD 富硅氮化硅（SRN）中的直流克尔效应，并借此展示高达 (6 +/- 0.58)x10-19 m2/v2 的三阶非线性极化率 \c{hi}^((3))。我们采用跑道型环形谐振腔中光谱偏移随外加电压变化的测量作为表征这些薄膜非线性极化率的工具。在此过程中，我们展示了比硅更高的 \c{hi}^((3))，并论证 PECVD SRN 可提供一个多功能平台，用于在保持低热能预算的同时采用光学移相器，且使用 CMOS 工艺流中易得的沉积技术。
引用
@article{arxiv.2107.00104,
title = {Demonstration of the DC-Kerr Effect in Silicon-Rich Nitride},
author = {Alex Friedman and Hani Nejadriahi and Rajat Sharma and Yeshaiahu Fainman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.00104},
year = {2021}
}