富硅氮化物电光调制器设计的系统评估与权衡
光学
2023-09-21 v1 应用物理
摘要
我们展示一项基于线性化 \c{hi}^((3)) 的电光调制研究，从非线性极化率分析入手，并阐述如何基于二次三阶直流克尔效应线性化调制器。随后我们进行数值研究，设计利用富硅氮化物的线性化 \c{hi}^((3)) 相位调制器，表明可实现 V_{\pi} L_{\pi} 为 1 Vcm 或 V_{\pi} L_{\pi} {\alpha} 为 37 VdB 的相位调制器，以及在推挽式马赫-曾德尔干涉仪中低至 0.5 Vcm 的 V_{\pi} L_{\pi}。该数值研究论证了利用 \c{hi}^((3)) 及适用时 \c{hi}^((2)) 的线性化调制是可行的，并可使用 CMOS 兼容材料平台实现高速调制。
引用
@article{arxiv.2309.10991,
title = {A systematic evaluation of Silicon-rich Nitride Electro-optic Modulator design and tradeoffs},
author = {Alex Friedman and Dmitrii Belogolovskii and Andrew Grieco and Yeshaiahu Fainman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.10991},
year = {2023}
}