氮化硅平台上的纳米光子普克尔斯调制器
应用物理
2018-10-24 v2 光学
摘要
氮化硅（SiN）正成为具 CMOS 兼容性的集成光子学中有竞争力的平台。然而，调制器等有源器件稀缺且性能仍不足。理想情况下，此类调制器应具有高带宽、良好调制效率、低损耗并覆盖宽波长范围。在此，我们展示了基于 SiN 上铁电锆钛酸铅（PZT）薄膜的首个电光调制器，工作于 O 波段与 C 波段。展示了无偏置操作、超越 33 GHz 的带宽与 40 Gbps 的数据率，以及低传播损耗（α≈ 1 dB/cm）。测得 V_π L≈ 3.2 Vcm。仿真表明低于 2 Vcm 的值可达成。该方法为 SiN 上高性能相位调制器提供了一条备受期待的途径。
引用
@article{arxiv.1805.05437,
title = {Nanophotonic Pockels modulators on a silicon nitride platform},
author = {Koen Alexander and John P. George and Jochem Verbist and Kristiaan Neyts and Bart Kuyken and Dries Van Thourhout and Jeroen Beeckman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.05437},
year = {2018}
}
备注
Koen Alexander and John P. George contributed equally to this work