基于BaTiO3的电光普克尔斯调制器在先进硅光子平台上的单片集成
应用物理
2019-11-07 v1 光学
摘要
为在基于硅技术的光子学上开发新一代高速光子调制器，具有大普克尔斯系数的新材料已被转移到硅衬底上。以往的方法侧重于在专用硅衬底上实现独立器件，与硅代工厂的制造工艺不兼容。在这项工作中，我们展示了基于钛酸钡(BTO)薄膜中普克尔斯效应的电光调制器在光子集成电路(PIC)平台后段制程中的单片集成。分子晶圆键合实现了BTO基器件的完全PIC兼容集成，并且如所示可扩展至200 mm晶圆。PIC集成的BTO马赫-曾德尔调制器在调制效率、损耗和静态调谐功率方面优于传统Si光子调制器。该器件表现出优异的V{\pi}L (0.2 Vcm)和V{\pi}L{\alpha} (1.3 VdB)，以高速(25 Gbps)工作，并且可在低静态功耗(100 nW)下调谐。我们的概念展示了在先进硅光子平台中单片集成基于普克尔斯效应的电光调制器的可能性。{\c} 2019 Optical Society of America。只要此类使用出于非商业目的并保留适当署名，用户可使用、重用和基于本文进行构建，或将本文用于文本或数据挖掘。所有其他权利保留。https://www.osapublishing.org/jlt/abstract.cfm?URI=jlt-37-5-1456 出版日期：2019年3月1日 这项工作部分由欧盟(EU)在Horizon 2020资助协议号H2020-ICT-2015-25-688579 (PHRESCO)和H2020-ICT-2017-1-780997 (plaCMOS)下支持。
引用
@article{arxiv.1911.02317,
title = {A BaTiO3-Based Electro-Optic Pockels Modulator Monolithically Integrated on an Advanced Silicon Photonics Platform},
author = {Felix Eltes and Christian Mai and Daniele Caimi and Marcel Kroh and Youri Popoff and Georg Winzer and Despoina Petousi and Stefan Lischke and J. Elliott Ortmann and Lukas Czornomaz and Lars Zimmermann and Jean Fompeyrine and Stefan Abel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.02317},
year = {2019}
}