PECVD 氮化硅微环谐振器中分子吸收诱导的热双稳态
光学
2015-06-22 v1
摘要
本文研究了通信 C 波段中 CMOS 工艺处理的 PECVD 氮化硅环内的波长选择性线性吸收。在过耦合区域，线性吸收损耗降低了环谐振器的共振透射率并提高了其整体品质因子。线性吸收和环品质因子均在 1520 nm 附近达到最大值。声子吸收引起的直接加热导致了基于 PECVD 氮化硅的微环谐振器中的热光双稳态开关。我们通过在不同激光功率水平下测量微环谐振器的透射线型来校准其线性吸收率，结果与耦合模理论计算一致。
引用
@article{arxiv.1407.4146,
title = {Molecular-absorption-induced thermal bistablity in PECVD silicon nitride microring resonators},
author = {Tingyi Gu and Mingbin Yu and Dim-Lee Kwong and Chee Wei Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.4146},
year = {2015}
}