基于动力学蒙特卡洛模拟的二维材料阻变随机存取存储器研究
材料科学
2023-10-03 v2 应用物理
计算物理
摘要
基于二维 WS2、MoS2 和 h-BN 材料的阻变存储器已得到研究，包括实验与模拟。不同有源层厚度的影响已被讨论，包括实验与模拟。具有最佳开关比的厚度也已为二维 RRAM 找到。本工作揭示了二维 RRAM 与传统氧化物 RRAM 之间的根本差异。此外，从 KMC 模型提取的物理参数来看，二维材料在垂直方向上具有更低的扩散激活能，从而可实现更小的偏置电压和更短的开关时间。还发现 CVD 生长样品的扩散激活能远低于机械剥离样品。结果表明，MoS2 在三种二维材料中具有最快的开关速度。
引用
@article{arxiv.2304.11345,
title = {Studies of two-dimensional material resistive random-access memory by kinetic Monte Carlo simulations},
author = {Ying-Chuan Chen and Yu-Ting Chao and Edward Chen and Chao-Hsin Wu and Yuh-Renn Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.11345},
year = {2023}
}