含全非线性忆阻器电路的动力学性质

最近具有忆阻特性的纳米级器件的设计对非线性电路理论产生了巨大影响。这种由Leon Chua于1971年预测其存在的器件，受制于形式为$v=M(q)i$的电荷依赖型电压-电流关系。在本文中，我们证明了在忆阻器件中允许全非线性特性$v=\eta(q, i)$，为建模和分析非常广泛的电气与电子电路族提供了一个通用框架；Chua的忆阻器是其中$\eta(q,i)$关于$i$线性的特例。我们研究了含全非线性忆阻器电路的几种动力学特征，不仅涵盖了电荷控制型，还涵盖了具有$i=\zeta(\varphi, v)$特性形式的磁通控制型忆阻器。我们的结果特别适用于Chua的忆阻电路；这些电路的某些性质可以被视为Chua忆阻器所展示的倒电容和倒电感矩阵特殊形式的推论。