忆阻性电荷-磁通相互作用仍使寻找理想忆阻器成为可能

1971年，蔡少棠定义了关联电荷q与磁通φ的理想忆阻器。本工作中，我们证明物理电荷q与物理磁通φ之间的直接相互作用本质上是忆阻性的，表现为时不变的φ-q曲线非线性、连续可微且严格单调递增。然而，该结构仍存在两个严重局限：1、寄生电感效应；2、连续电阻区间的双稳性与动态扫掠。随后我们讨论了如何构建具有多个或无限多个稳定态且无寄生电感的全功能理想忆阻器，并给出若干建议，如开放结构、纳米尺度尺寸、具有立方各向异性(甚至各向同性)的磁性材料，以及磁畴的顺序切换。最后，我们回应了arXiv.org近期的一项质疑——该质疑声称我们被撤稿的JAP论文中所报道的结构仅仅是一个有记忆的电感，因其未通过他们设计的电容-忆阻器电路测试。与他们关于理想忆阻器可能不存在或仅为纯数学概念的猜想相反，我们仍乐观地认为研究者会在自然界中发现或在实验室中制造出理想忆阻器。