基于黏滞磁化动力学的近乎理想忆阻器功能
材料科学
2022-07-06 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们通过实验演示了一种近乎理想忆阻器的原理验证实现——忆阻器是一种两端电路元件，其电阻近似正比于输入信号随时间的积分。所演示的器件基于薄膜铁磁体/反铁磁体双层结构，其中磁挫败导致黏滞磁化动力学从而实现忆阻功能，而外部磁场充当驱动输入。所演示的忆阻器概念适于微缩并可适配电子驱动，使其在神经形态电路应用中颇具吸引力。
引用
@article{arxiv.2102.00123,
title = {Nearly ideal memristive functionality based on viscous magnetization dynamics},
author = {Sergei Ivanov and Sergei Urazhdin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.00123},
year = {2022}
}
备注
5 pages, 4 figures