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在基本电路理论框架内重新审视忆阻器概念

系统与控制 2021-02-24 v1 系统与控制

摘要

本文在电路理论框架内重新审视忆阻器概念。我们从基本电路元件的定义出发,随后介绍忆阻器概念的最初表述并总结关于其本质的一些争议。我们还指出了由磁通 linkage(磁通链)概念不严谨使用所导致的歧义。在得出忆阻器并非第四种基本电路元件的结论后,受近期忆阻器文献中主张的启发,我们考察了忆阻器概念在电生理学中的应用,认识到一种适于解释巨型乌贼轴突所观测到的电感行为的方案早在1960年代便已随着“时变电阻”的引入而得到发展。我们还讨论了一种磁通过程直接起作用的近期忆阻器实现,结论是它不能严格地 qualifies(符合)为忆阻器,因为其viv-i曲线不能在原点精确掐断。最后,我们对若干忆阻器与忆阻系统进行了数值模拟,聚焦于φq\varphi-q平面中的行为。我们表明,与最基本忆阻器概念的情况相反,对于一般忆阻系统,φq\varphi-q曲线不是单值的,甚至不是闭合的。

关键词

引用

@article{arxiv.2102.11669,
  title  = {Revisiting the Memristor Concept within Basic Circuit Theory},
  author = {Bernardo Tellini and Mauro Bologna and Kristopher J. Chandia and Massimo Macucci},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2102.11669},
  year   = {2021}
}

备注

13 pages, 19 figures