平面忆阻电路相互作用的定域性
适应与自组织系统
2017-12-22 v4 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
忆阻器是非线性无源电路元件,可视为时变电阻。当连接于复杂电路中时,它们表现出非常奇特的行为,这是无序系统的典型特征,例如对于复杂电路拓扑的普适慢弛豫,以及对初始条件的强烈依赖。作为电路一部分的忆阻组件,存在由基尔霍夫约束引起的非局域效应。在最近为相当一般的忆阻电路类发展的形式体系中,这些约束包含于一个投影算子中。我们给出了关于矩阵元随电路上汉明距离衰减的精确结果,从而阐明了迄今为止悬而未决的关于交叉阵列中非局域效应的问题,该阵列目前正被考虑用于片上机器学习。
引用
@article{arxiv.1705.00244,
title = {Locality of interactions for planar memristive circuits},
author = {Francesco Caravelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.00244},
year = {2017}
}
备注
5.5 pages double column, 4 figures; clarified discussion and corrected typos respect to published version