具有可动空位的忆阻器中的非线性效应
介观与纳米尺度物理
2021-10-22 v2
摘要
由于任何材料中空位的局域浓度都是有界的，其运动必然伴随非线性效应。本文在一个电场驱动忆阻器中空位运动的简单模型中寻找此类效应，解析求解了具有不可穿透非线性边界条件的相应非线性 Burgers 方程。我们发现了忆阻器在稳定（“开”/“关”）态之间切换时电阻的非单调弛豫；以及在施加电流下的切换时间与无电流下的弛豫时间对薄膜厚度的定性不同依赖关系。我们的精确解可作为更复杂的忆阻器模型模拟的有用基准。
引用
@article{arxiv.2004.04465,
title = {Nonlinear effects in memristors with mobile vacancies},
author = {Irina V. Boylo and Konstantin L. Metlov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.04465},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 3 figures (v2: clarifications/improvements as per referee comments and other minor changes)