氧化物忆阻器的分子动力学模拟：晶体场效应
材料科学
2015-05-28 v1
摘要
我们展示了对记忆电阻器（忆阻器）的分子动力学模拟，其中考虑了在器件工作过程中出现的可动离子物种（如氧空位）上的晶体场效应。空位分布根据晶体场的空间周期与空位-空位相互作用特征半径之比显示出不同的模式。对于某些晶体场势，空位分布中存在取向序和空间空隙的特征。晶体场在模式形成后使其稳定，从而实现了所模拟器件的非易失性开关。
引用
@article{arxiv.1105.4445,
title = {Molecular dynamics simulations of oxide memristors: crystal field effects},
author = {S. E. Savel'ev and A. S. Alexandrov and A. M. Bratkovsky and R. Stanley Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.4445},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 3 figures