氧化物忆阻器的分子动力学模拟
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1
摘要
可在固态两端器件中通过电子方式设置和读取的可逆双极纳米开关具有广阔的应用前景。我们进行了分子动力学模拟，模拟了具有氧空位的系统，这些空位通过现实势相互作用并由外部偏置电压驱动。带电可移动空位之间的短程和长程相互竞争导致了密度涨落和短程有序，同时展示了观察到的实验行为的某些方面，例如忆阻器极性反转。
引用
@article{arxiv.1010.5656,
title = {Molecular dynamics simulations of oxide memory resistors (memristors)},
author = {S. E. Savel'ev and A. S. Alexandrov and A. M. Bratkovsky and R. Stanley Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.5656},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 5 figures