氧化物忆阻器的分子动力学模拟：热效应
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1 量子物理
摘要
我们将近期对忆阻器的分子动力学模拟进行了扩展，以包含器件运行期间出现的移动离子物种上的热不均匀性效应。模拟显示了氧空位之间的短程吸引相互作用与增强的局部温度在创建/破坏导电氧通道方面的竞争。这种竞争将强烈影响忆阻器件的性能。
引用
@article{arxiv.1012.5514,
title = {Molecular dynamics simulations of oxide memristors: thermal effects},
author = {S. E. Savel'ev and A. S. Alexandrov and A. M. Bratkovsky and R. Stanley Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.5514},
year = {2015}
}
备注
submit/0169777; 6 pages, 4 figures