基于谐振的离子忆阻器动态系统模型
介观与纳米尺度物理
2011-06-29 v4
摘要
忆阻系统模型先前已被提出用于描述离子记忆电阻器。然而，这些模型忽略了离子的质量以及离子间的排斥力，并且在半导体和离子物理方面表述不够完善。本文提出了一种替代的动态系统模型，其中系统状态由受驱阻尼谐振子形式的二阶微分方程导出。该模型应用于肖特基势垒和隧穿势垒。关键词-忆阻器，非线性动态系统
引用
@article{arxiv.1103.2190,
title = {Dynamic Systems Model for Ionic Mem-Resistors based on Harmonic Oscillation},
author = {Blaise Mouttet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.2190},
year = {2011}
}
备注
13 pages