离子型与丝状忆阻器的置位、复位和保持时间
介观与纳米尺度物理
2011-06-29 v3
摘要
先前已基于一个描述半导体薄膜中电子和离子耗尽宽度的受驱阻尼谐振子微分方程，为忆阻器提出了一个动力学系统模型。本文基于该先前提出的模型，推导了置位、复位和保持时间的方程。关键词——忆阻器，RRAM，ReRAM
引用
@article{arxiv.1105.0134,
title = {Set, Reset, and Retention Times for Ionic and Filamentary Mem-Resistors},
author = {Blaise Mouttet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.0134},
year = {2011}
}
备注
5 pages