控制 ReRAM 器件 endurance 循环稳定性、变异性与可靠性问题的因素：一项相场研究
应用物理
2024-06-19 v2 材料科学
摘要
导电细丝（CF）的形貌演化主要控制着阻变随机存取存储器（ReRAM）器件的电学响应。然而，就材料与工艺而言，控制此类 CF 生长的参数众多。扩展 Roy 和 Cha [J. Appl. Phys. 128, 205102 (2020)] 提出的 ReRAM 系统相场技术，我们成功模拟了由于施加扫描电压而产生的完整 SET（低阻态）与 RESET（高阻态）状态。本文识别了影响多循环 I-V 响应稳定性或 endurance 行为的关键参数。所提出模型 ReRAM 系统的计算发现，对于将多参数影响与影响器件性能并导致器件失效的 endurance 循环的稳定性、变异性和可靠性相关联具有实际意义。我们相信，这种将 CF 形貌变化与电学响应相联系的计算方法，有潜力进一步理解和优化 ReRAM 器件的性能。
引用
@article{arxiv.2201.12304,
title = {Factors that control stability, variability, and reliability issues of endurance cycle in ReRAM devices: a phase field study},
author = {Arijit Roy and Min-Gyu Cho and Pil-Ryung Cha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.12304},
year = {2024}
}