电阻与忆阻电路的经典与量子随机模型
数学物理
2015-10-29 v1 动力系统
math.MP
最优化与控制
量子物理
摘要
本文旨在研究相空间中电路的随机马尔可夫模型，其漂移项等价于标准电路方程。特别地，我们包含了对应于电阻和忆阻器串联的耗散分量。我们获得了该问题的一个膨胀（dilation），它是规范的（canonical），意指底层泊松括号结构在随机流下得以保持。我们首先针对标准 Wiener 噪声进行此操作，但也使用一种称为辛噪声（symplectic noise）的新概念处理该问题，其中泊松结构被扩展到噪声以及电路变量，特别地我们有正则共轭噪声。最后我们构造了一个描述量子力学类比的膨胀。
引用
@article{arxiv.1510.08243,
title = {Classical and Quantum Stochastic Models of Resistive and Memristive Circuits},
author = {John E. Gough and Guofeng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.08243},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 5 figures