基于闭合移动空洞的 memristor，其特定电阻线性依赖于局部空洞浓度
介观与纳米尺度物理
2025-09-18 v1
摘要
材料中特定电阻的线性（与局部空洞浓度成正比）项在空洞在保持总数不变的情况下重新分布时，不直接导致 memristor 总电阻的变化。但它仍会改变空洞在通过电流作用下的漂移动力学。当 memristor 材料中存在金属-绝缘相变时，这些变化尤为显著。本文获得了局部空洞浓度的动力学方程，并分析了其稳态解。我们证明，不仅在特定电阻对空洞浓度的依赖可被忽略的弱非线性情况下，甚至在具有相变的强非线性 memristor 中，其动力学都可以归约为经典可精确求解的 Burgers 方程。
引用
@article{arxiv.2508.09668,
title = {Switching of a closed mobile vacancy based memristor, whose specific resistance linearly depends on local vacancy concentration},
author = {Irina V. Boylo and Konstantin L. Metlov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.09668},
year = {2025}
}
备注
6 pages, 3 figures, bilingual: English (edited machine translation), Russian (primary)