半导体量子比特架构中的实时毫开尔文测温

我们报道了在用于承载自旋量子比特线性阵列的硅纳米线量子点器件中的局部时间分辨测温。利用基于射频反射测量的两种替代测量方案，我们能够以微秒级时间分辨率和 $3$ $\rm mK/\sqrt{\rm Hz}$ 的噪声等效温度探测局部电子或声子温度。在施加引起局部周期性加热的短微波脉冲后，时间依赖测温可追踪热激发与弛豫的动力学，揭示出明显不同的特征时间尺度。该工作为研究极低温下半导体量子电子器件的非平衡热性质提供了重要前景。特别是，它可能为了解近期在半导体自旋量子比特系统中观测到的加热效应提供有力手段。