半导体测辐射热计脉冲响应中由电热耦合与杂散电容引起的信号振荡建模

半导体测辐射热计中的电热耦合已知会在瞬态探测器响应中产生非线性，特别是当此类探测器偏置在其理想区域之外（即越过其 IV 曲线中的转折点）时。在偏置电路中存在杂散电容（例如长低温线缆）的情况下，该效应进一步加剧。我们提出了一个复合 NTD 锗测辐射热计中此类电热耦合与杂散电容影响的物理模型，其中先前在高 $V_{\rm bias}$ 下的实验数据导致了探测器对 alpha 粒子辐照的脉冲响应出现振荡。该模型重现了实验数据中看到的瞬态振荡，其取决于电热耦合与杂散电容两者。这旨在作为此类振荡的一个实验与模拟实例，针对该特定测辐射热计探测器予以演示。