有限温度下的电子关联效应与库仑隙

我们利用机械可控断裂结的隧穿谱技术，研究了长程库仑相互作用对n型锗单粒子激发谱的影响。隧穿电导作为能量和温度的函数被测量。在低温下，谱在零偏压处呈现一个极小值，这是由库仑隙引起的。在1 K以上的温度范围内，库仑隙被热激发所填充。这一行为反映在同一批样品上测量的变程跳跃电阻率的温度依赖性中：在几开尔文以下 obey Efros-Shkovskii 的 ln$R \propto T^{-1/2}$ 定律，而在更高温度下观察到对该定律的偏离，表明向 Mott 的 ln$R \propto T^{-1/4}$ 定律交叉。这种交叉的机制与文献中先前考虑的机制不同。